据《韩国先驱报》报道，英特尔代工（Intel Foundry）可能赢得为SK海力士生产HBM4E内存基底芯片的合同。据悉，SK海力士正考虑将基底芯片供应商从台积电（TSMC）独家供应转为双源采购策略，同时采用台积电和英特尔，其中英特尔代工可能获得该合同的重要份额。读者或许还记得，HBM4E内存允许在基底芯片上实现定制逻辑，上方堆叠DRAM芯片。此前，SK海力士仅考虑由台积电负责此应用，但现在英特尔也进入了候选名单。

例如，客户可以直接在HBM4E基底芯片上集成内存控制器和PHY等定制逻辑，从而显著减少这些组件在主计算芯粒上占用的面积。SK海力士会将设计方案交给英特尔，随后英特尔向SK海力士提供这些基底芯片。韩国内存巨头再在其上层堆叠DRAM。这种方式可在任何AI加速器的主计算单元上释放空间，用于部署更多处理单元，同时降低延迟并大幅提升性能。但问题在于将采用英特尔的哪个制程节点。直到HBM3E，SK海力士一直使用自有节点生产基底芯片。然而，由于这些是10纳米级节点，客户现在要求更先进的制程。

对于当前的HBM4，SK海力士采用台积电12纳米节点生产基底芯片，但HBM4E则需要更先进的制程。英特尔10及英特尔4/3是可能的选项，同时英特尔18A及其衍生版本也在考虑范围内。不过，考虑到供应链和HBM已然高昂的成本，使用英特尔3或英特尔4这类较旧节点在经济上更为合理。无论SK海力士选择哪个节点，这都预示着英特尔代工已准备好提供更多支持的积极信号。在Hot Chips 2026大会上，我们了解到SK海力士已验证其设计与英特尔EMIB-T封装的兼容性。预计硅通孔（TSV）技术将实现跨多个堆叠芯片的垂直供电，从而支持SK海力士通过EMIB-T在封装层面为3D内存模块垂直供电的构想。

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