我们知道这迟早会发生，来看看他们是否能够兑现承诺。 Business Korea 报告称，滑坡的原因是： “最近在上海举行的会议上，CXMT 总裁曹康宇表示，公司计划在 2026 年底推出一款服务器级 DDR5 注册双向内存模块（RDIMM），该模块采用 4F² 细胞结构。 这个公告引起了特别的关注，因为三星电子正在目标 2028 年的大规模生产自己的 4F² DRAM 技术。 然而，CXMT 的提案产品发布和三星的大规模生产目标代表不同的开发里程碑，并且不直接可比。 4F² 架构指的是一种占用面积等于四倍的最小特征尺寸平方的 DRAM 细胞布局，与传统的 6F² 设计相比，占用面积更小。 在原则上，减少约 33% 的细胞尺寸可以允许制造商在同一芯片面积内增加内存密度，实际容量、性能和制造效率取决于实施。 CXMT 表示，其专有垂直围栏门控（VSG）晶体管技术解决了当前架构相关的新技术的漏电问题。 该公司还声称已获得超过 300 个相关专利。 在服务器内存方面，CXMT 的野心在韩国引起了关注，这里三星电子和 SK hynix 是高附加值 DRAM 产品的主要供应商。 CXMT 以前主要专注于消费者内存，正在努力扩大到性能、可靠性和客户资格要求更高的市场。 据报道，中国公司在全球 DRAM 市场的份额在 2026 年第二季度达到 10%，比去年同期高出 4%。 韩国分析师警告称，技术宣布并不一定能转化为竞争性的大规模生产。 Kiwoom Securities 的分析师韩智英表示，市场还没有看到 CXMT 在生产产量、性能和客户资格方面的下一代产品的必要性。 半导体行业官员也强调了区别在于开发新细胞架构和在商业规模上制造它。 CXMT 的对 EUV 光刻设备的限制访问，供应商为荷兰公司 ASML 的设备，也可能会复杂化它的竞争性生产产量的努力。 然而，宣布已重新关注中国加速在国内半导体研究和开发投资以及其努力缩小与已建立的内存制造商的技术差距。