三星电子应英伟达要求，正在开发一款8层堆叠的HBM4E内存芯片，目标传输速率为17至18Gbps，比其目前样品高出约20%。该产品将用于英伟达的定制内存平台NVHBM，并预计集成到明年推出的Rubin Ultra AI GPU中。8层架构反映了AI芯片设计从纯粹扩容向带宽、功耗和良率均衡优化的更广泛转变。三星凭借其同时生产DRAM和逻辑基底的整合能力，在定制HBM市场被认为比SK海力士和美光更具竞争优势。若该产品通过验证，将有助于三星缩小与SK海力士在高端HBM领域的差距。

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