三星电子正在加速HBM5生产准备工作，该产品将于明年后推出，同时展示其相关技术能力在高带宽内存（HBM）方面。三星电子高通量内存技术发展办公室副总裁Koo Ja-heum表示：“HBM5预计将比HBM4E提高运算速度约50%或以上。” “我们计划将基底晶片的基准晶片采用2纳米（nm）工艺，使用门控周围（GAA）结构，并在基底晶片上实施通过硅体孔（TSV）的更高集成密度。” 这些评论表明，三星电子已经进入了HBM5生产准备阶段，提前指定了性能目标和工艺采用计划，预计2028年推出，今年推出HBM4，明年推出HBM4E。 如果Koo的声明得到执行，HBM5将是第一款将2nm工艺应用于基底晶片的HBM。它将比HBM4E（使用4nm工艺）进一步提高运算速度、带宽和热控制性能。基底晶片是HBM的最底层，负责平滑地连接DRAM和图形处理单元（GPU）的上层。 Koo表示，三星电子正在通过积极赢得HBM和大型科技公司的人工智能（AI）芯片生产订单来建立2nm工艺的先进晶圆制造技术。“我们去年通过赢得特斯拉汽车2nm产品的订单，证明了我们的工艺竞争力，”他说。“从那时起，来自AI、高性能计算（HPC）和云服务提供商（CSP）的订单继续流入。”