SK 休尼斯周四表示，已经将其12层HBM4E样品交付给主要客户，进入客户验证阶段。该公司与竞争对手三星电子相比，领先了大约三周时间。

这项公告标志着HBM4E竞争从产品路线图转向了更具决策力的阶段，AI芯片制造商正在验证内存。高带宽内存与GPU一起打包，以减轻AI训练和推断中的数据瓶颈。样品交付是客户验证的入口，而不是大规模生产的证明。

SK 休尼斯表示，其12层部分提供了48GB的容量和最高16GB/秒的针速，而在能效方面则超过了前一代HBM4的20%。该公司应用了其先进的MR-MUF封装工艺，该工艺填充了堆叠芯片之间的空隙，使用保护材料来加强结构稳定性并散热。它表示该工艺在热阻方面比HBM4减少了约17%，这对于在密集计算环境中生成更快的内存来说是很重要的。

竞争性框架值得注意。三星于5月29日表示，它已经开始交付世界上第一批12层HBM4E样品，指出匹配的容量和针速。SK 休尼斯没有宣布首先。相反，它依靠其在HBM3、HBM3E和HBM4上的成就来论证，它可以将证明的供应能力带入新一代。

休尼斯的总裁兼首席开发官安贤（Ahn Hyun）表示，休尼斯“为HBM4E的AI领导力奠定了基础”，并将“巩固其作为全栈AI内存创造者的地位”。

根据Counterpoint Research，休尼斯在HBM市场领先，占据了约58%的市场份额，三星紧随其后，约21%，而Micron也在推进下一代生产。预计HBM4E将成为Nvidia的Rubin Ultra加速器平台的核心部分，预计下一年发布。因此，当前样品验证是进入这些设计的门户。

该公司没有披露哪些客户收到了样品，也没有承诺大规模生产的日期，只说将与合作伙伴“在合适的时间内进行大规模生产”。