随着边缘AI、汽车和物联网设备对数据量的需求空前增长，片上内存已成为关键瓶颈，并通常占据硅片面积的大部分。设计人员正在寻找创新的片上内存解决方案，与传统的SRAM相比，这些方案需具备更高密度和更低功耗。

两家公司利用RAAAM的专利GCRAM技术，在FDX工艺上采用“紧凑”设计规则共同设计了GRAM存储位单元，相比SRAM实现了40%的内存面积缩减和高达60%的内存功耗降低。双方已共同设计并流片了一款GCRAM测试芯片。下一步，公司将于2027年初开始向领先客户提供GRAM设计访问权限。

“我们基于格芯FDX平台的GRAM测试芯片成功流片，证明了RAAAM的内存创新与格芯卓越制造能力之间的强大协同效应，”RAAAM Memory Technologies首席执行官兼联合创始人Robert Giterman表示，“我们的GCRAM技术使半导体公司能够显著增加片上内存容量，或在保持相同片上内存容量的同时减少硅片面积；而FD-SOI技术的超低漏电特性则延长了数据保留时间，使设计人员能够为边缘AI设备解锁显著的节能效果。”