最近的DRAM讨论使我忽视了标志并关注了投资组合构建。 最大的不同点是集中度。截至6月30日,DRAM的前三大暴露度分别为Micron(25.81%)、Samsung Electronics(25.04%)和SK hynix(23.99%)。他们一起占据了基金的74.84%。 仅以韩国为代表,占据了49.04%,而基金持有17个名称的0.65%费用比例。 这与更广泛的半导体基金有很大不同: -截至6月24日,SMH的前三大持股为33.23%,持有26只股票,费用比例为0.35%。 -截至3月31日,SOXX的前三大持股为23.66%,持有30只股票,费用比例为0.34%。 -Micron占据了DRAM的25.81%,而SMH和SOXX分别占据了5.46%和6.99%。因此,真正的问题不是简单地是否会增长的内存需求。 而是今天的HBM和内存价格的强劲度是否可以超过行业的供应反应。 这样高度集中的一只基金在价格、利用率和利润率一起上升时可以非常好地工作,但它也会失去更广泛的半导体ETF中的设备、晶圆、模拟和设计的多样化。 我会关注的三个指标是HBM合同价格、生产者投资额增长和库存天数。如果投资额和库存增长速度超过需求,同样的运营杠杆在上行周期中有助于,但也会迅速倒转。 您是否会将DRAM视为围绕更广泛的半导体ETF的小卫星位置,还是其集中度会击败使用ETF的目的? 来源:Roundhill DRAM事实表(2026年6月30日);VanEck SMH日常持有(2026年6月24日);iShares SOXX事实表(2026年3月31日)。
DRAM不是带有新标签的半导体ETF,而是一种高度集中的存储周期赌注。
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